Paměti typu UFS 4.1 už sice běžně využívají dnešní smartphony, ovšem nejnovější model od SK hynix přináší hned několik prvenství. Nejenže je postavený na zatím nejvíce vrstvené technologii NAND s neuvěřitelnými 321 vrstvami, ale zároveň slibuje vyšší výkon, menší spotřebu a tenčí tělo. To vše je přitom důležité pro nástup zařízení, kde umělá inteligence běží přímo v telefonu.
Nová paměť SK hynix UFS 4.1 přináší v praxi sekvenční rychlost čtení až 4 300 MB/s. Díky zvýšení rychlosti náhodného čtení o 15 % a zápisu o 40 % se zlepšuje multitasking i zpracování úloh spojených s umělou inteligencí. Navíc je paměť energeticky úspornější s o 7 % nižší spotřebou a zároveň tenčí – její tloušťka klesla na pouhých 0,85 mm, čímž ušetří drahocenný prostor pro další hardware – například baterii. Kapacitně pak výrobce nabízí varianty s 512 GB a 1 TB, což jen potvrzuje to, že paměť bude mířit primárně do vlajkových lodí.
SK hynix plánuje sériovou výrobu od prvního čtvrtletí 2026 a současně připravuje i SSD verzi tohoto 321vrstvého čipu pro běžné uživatele i datová centra. Jinými slovy – technologie rozhodně nezůstane jen u telefonů, což ovšem nepřekvapí.
O SK hynix
SK hynix se sídlem v Jižní Koreji, konkrétně ve městě Icheon, je jedním z předních světových výrobců polovodičových pamětí s dlouholetou historií. Specializuje se nejen na výrobu NAND a DRAM pamětí, ale také na řešení pro datová centra, mobilní zařízení a AI aplikace. Firma, která dnes nese jméno SK hynix, začala svou cestu v roce 1949 pod názvem Hyundai Electronics. Tehdy ještě neměla nic společného s paměťovými čipy. Od začátku 80. let se zaměřila na výrobu paměťových čipů, což jí umožnilo stát se jedním z nejvýznamnějších dodavatelů na světě. V roce 2001 firma prošla přejmenováním na Hynix Semiconductor a o deset let později, v rámci začlenění do jihokorejské skupiny SK Group, získala dnešní název SK hynix.
