Častým problémem mnoha uživatelů bývá, kam uložit svá data. Paměť v telefonech je stále limitována a i 64GB interní úložiště je dnes spíše nadprůměr. Vývoj však jde nadále kupředu, což dokazuje i aktuální oznámení jihokorejského Samsungu. Ten představil nový paměťový čip typu eUFS s kapacitou 512 GB. To je dvojnásobná hodnota oproti předchozímu modelu, který Samsung představil v únoru 2016. Do 512GB úložiště by uživatel mohl uložit až 130 10minutových videí v kvalitě 4K. Samsung dále prozradil, že nový čip využívá zdokonalenou 64vrstvou architekturu V-NAND. Došlo také ke zdokonalení procesu napájení, díky čemuž nenarostla energetická náročnost.
Rychlost čtení paměťového čipu s 512 GB dosahuje 860 MB/s. V případě rychlosti zápisu padla hodnota 255 MB/s. Nový paměťový čip by Samsung mohl nasadit do budoucích telefonů a tabletů. Je však otázkou, zda k tomu dojde a následně kdy. Samozřejmě se ihned vyrojily spekulace, že by se tak mohlo stát už u očekávaných modelů řady Galaxy S9. Na případné potvrzení si však samozřejmě musíme ještě počkat.
Zdroj: news.samsung.com
