Samsung představil první DDR5 DRAM paměťový čip vyrobený 12nm technologií, což mimo jiné znamená o 23 % vyšší výkon oproti předchozí generaci DRAM pamětí a schopnost dosáhnout přenosových rychlostí až 7,2 Gbps, což je mimo jiné ekvivalent zpracování dvou 30GB filmů ve 4K rozlišení během jedné sekundy. Produkce má podle sammobile.com odstartovat hned zkraje příštího roku, nasazení do prvních smartphonů a jiné elektroniky pak pravděpodobně naopak až ke konci roku 2023.
První 12nm DDR5 DRAM paměťový čip je na světě. O jeho výrobu se postaral Samsung
Fotografie: Petr Vojtěch, mobilenet.cz
- Výroba odstartuje na začátku příštího roku
- Čip dosahuje přenosových rychlostí až 7,2 Gbps
Související články
- Samsung zahajuje výrobu nejtenčí RAM pro umělou inteligenci „on-device“
- Samsung testuje nejnovější paměti na procesoru od MediaTeku – Znamená to komplikaci pro Qualcomm?
- Brzy přijdou vlajkové telefony s 32GB RAM, láká Samsung
- Samsung přichází s doposud nejrychlejší pamětí LPDDR5X DRAM. Kde se uplatní?
- Společně se Snapdragonem 8 Gen 4 by mohla debutovat i LPDDR6 RAM
- 8GB RAM nového MacBooku Pro s čipem M3 se podle Applu vyrovná 16 GB u konkurence
