Navzdory celosvětovému nedostatku materiálů a komponent důležitých pro výrobu nejrůznější elektroniky představil Samsung nový čip, který v sobě snoubí operační paměť i úložiště. Jedna součástka obsahuje LPDDR5 RAM a rychlé úložiště UFS 3.1 (NAND). Toto nové řešení má podle výrobce přinést více výkonu do telefonů střední, ale i vyšší třídy.
Samsung’s all-new LPDDR5 uMCP starts rollout this month. Utilizing the latest mobile DRAM and NAND interfaces, this uMCP brings lightning-fast speed and high storage capacity at very low power to enable 5G for mid- to high-end smartphones. #Samsung #5G https://t.co/RINk5kUofV pic.twitter.com/esr9lmQY1A
— Samsung Semicon (@SamsungSemiUS) June 15, 2021
Díky jednodušší architektuře tohoto řešení rovněž dojde ke snížení výrobních nákladů. Přenosová rychlost DRAM má narůst ze 17 GB/s na 25 GB/s, v případě úložiště NAND se pak jedná o nárůst z 1,5 GB/s na 3 GB/s (při srovnání s LPDDR4H/UFS2.2 pamětí/úložištěm). Nový čip má měřit pouhých 11,5 × 13 mm, díky čemuž zůstane více místa pro ostatní komponenty.
Samsung bude nabízet čipy uMCP (tzv. UFS-based multichip package) s 6 až 12 GB RAM a úložištěm o velikosti 128 až 256 GB. První telefony s tímto řešením by mohly být představeny již v průběhu tohoto měsíce.
