Společnost Micron, kterou nedávno Čína označila jako riziko pro režim, oznámila své řešení pro mobilní úložiště UFS 4.0 a rovnou uvedla, že již odeslala zkušební vzorky vybraným globálním výrobcům smartphonů.
Are you ready for the next big thing in #mobile storage? Introducing Micron UFS 4.0 storage, purpose-built for flagship smartphones. Built on advanced 232-layer 3D NAND, it delivers best-in-class performance and power in capacities up to 1TB. https://t.co/PWqS252Ccc pic.twitter.com/lnAXWFlwOW
— Micron Technology (@MicronTech) June 21, 2023
Nová technologie bude použita k výrobě úložiště v kapacitách 256 GB, 512 GB a 1 TB. Velkoobjemová výroba začne v druhé polovině letošního roku, bude tedy ještě chvíli trvat, než dorazí první telefony s úložištěm Micron UFS 4.0, jak se lze dočíst na webu investors.micron.com, který cituje gsmarena.com.
Dvakrát rychlejší než úložiště předchozí generace
Toto úložiště je postaveno na 232vrstvé technologii TLC flash (triple-level cells, tj. ukládání 3 bitů na buňku). Podle společnosti šestiúrovňová architektura NAND umožňuje vyšší propustnost náhodného čtení. Ve srovnání s předchozí generací úložiště je šířka pásma zápisu o 100 % vyšší, u čtení pak o 75 %.
Řečeno v konkrétní číslech, úložiště Micron UFS 4.0 nabízí rychlost sekvenčního čtení až 4 300 MBps a rychlost sekvenčního zápisu až 4 000 MBps. To je více než technologie UFS 4.0 společnosti Samsung, zejména v případně rychlosti zápisu dat. Nové čipy UFS 4.0 jsou navíc podle firmy i o 25 % energeticky účinnější a slibují o 10 % nižší latenci zápisu. „Nejnovější mobilní řešení společnosti Micron spojuje naši nejlepší technologii UFS 4.0, 232vrstvou technologii NAND a vysoce konfigurovatelnou architekturu firmwaru, aby poskytovalo bezkonkurenční výkon,“ řekl Mark Montierth ze společnosti Micron. „Tyto technologie společně staví Micron do popředí v otázce inovací výkonu a snížení spotřeby, což naši zákazníci potřebují, aby přinesli koncovým uživatelům výjimečný zážitek z vlajkových smartphonů,“ dodal.