Samsung oznámil, že zahajuje hromadnou výrobu čipů první generace 3nm výrobním procesem. Ten je založen na nové tranzistorové architektuře GAA (Gate-All-Around), která je dalším krokem po FinFET.
Důvod pro neustále zmenšování je jasné: potřeba navýšit výkon a snížit spotřebu energie. Ve srovnání s 5nm mohou čipy první generace 3nm technologie poskytovat až o 23 % vyšší výkon, až o 45 % nižší spotřebu energie a mají 16 % menší plochu. To ale není konečná stanice, už nyní má Samsung plány na druhou generaci, která dosáhne polovičního snížení spotřeby, třetinového zvýšení výkonu a stejného zmenšení plochy.
Samsung tak předběhl TSMC, které by mělo zahájit masovou výrobu 3nm čipů ve druhé polovině roku. Zpoždění zaznamenal i sám korejský výrobce. Kvůli koronavirové pandemii a navazujícím obtížím byl nástup 3nm technologie opožděn zhruba o rok.
